变频器主回路电容充电方式，一般是在整流和电容储能回路之间串入充电限流电阻和充电接触器(继电器)，对电容充电过程的控制是这样的:
变频器上电后，先由充电电阻对电容进行限流充电，抑制了最大充电电流，随着充电过程的延伸，电容上逐渐建立起充电电压，其电压幅值达到530V的80%左右时，出现两种方式的控制过程，一为变频器的开关电源电路起振，由开关电源的24V输出直接驱动充电继电器，或由此继电器，接通充电接触器的线圈供电回路，充电接触器(继电器)闭合，当充电限流电阻短接，变频器进入待机工作状态。电容器上建立一定电压后，其充电电流幅度大为降低，充电接触器的闭合/切换电流并不是太大，此后储能电容回路与逆变电路的供电，由闭合的接触器触点供给，充电电阻被接触器常开触点所短接。二是随着电容上充电电压的建立，开关电源起振工作，CPU检测到由直流回路电压检检测电路送来电压幅度信号，判断储能电容的充电过程已经完毕，输出一个充电接触器动作指令，充电接触器得电闭合，电容上电充电过程结
个别品牌的变频器及大功率变频器，整流电路常采用三相半控桥的电路方式，即三相整流桥的下三臂为整流二极管，而上三臂采用三只单向可控硅，用可控硅这种“无触点开关”，代替了充电接触器。节省了安装空间，提高了电路的可靠性。
虽然省掉了充电接触器，但工作原理还是一样的，只不过控制电路有所差异。变频器上电期间，先由D10D6整流，R限流为C1、C2充电，在充电过程接近结束时，CPU输出SCR1COSCR3三只可控硅的开通指令，控制电路强制三只可控硅导通，由D1、D2、D3、R构成的上电预充电回路使用作用，SCR1CSCR3与D4、D5、D6构成三相整流桥，此时可控硅处于全导通状态下，等效于整流二极管。
